AIG Planungs- und Ingenieurgesellschaft

Halbleiterfabrik, Reutlingen

Um die Fertigungskapazitäten für Halbleiter zu erhöhen und als Einstieg in die 200 mm Halbleiter-Technologie war die 1995 in Gebäude Rt 141 errichtete Chipfertigung zu erweitern. Zuvor mussten dafür rund 14 000 m² Labor-, Prüfstands- und Büroflächen verlagert und Bestandsgebäude abgebrochen werden.

Der Neubau ist durch einen Zwischenbau vom Bestandsgebäude Rt 141 getrennt, der die Funktion des zentralen Stoffeingangs und Umkleiden für beide Reinraumbereiche beinhaltet. Gleichzeitig dient er der brandschutztechnischen Trennung der Fertigungsflächen.

Aufgrund der hohen Schwingungsanforderungen ist die Fertigungsebene von den umgebenden Bauteilen entkoppelt und mit einem Stahltragwerk über 50 m freitragend überspannt. Diese Schwingungsdämpfung ermöglicht eine Fertigungsgenauigkeit im Nano-Bereich. Ein dreigeschossiger Anbau auf der Westseite nimmt die neuen Umkleiden, Pausen- und Büroflächen auf, auf der Nordseite konnten weitere Büroflächen unterhalb der Fertigung angeordnet werden. Die Chipfertigung befindet sich im zweiten Obergeschoss. Sie wird von den zwei darunterliegenden Ebenen mit Medien versorgt und von der darüberliegenden Technikebene belüftet.

Nutzungen und Gebäudestruktur sind in der Fassadengestaltung ablesbar. Dabei wird der Fertigungsbereich durch eine großflächige Verglasung hervorgehoben, die mit Dünnschicht- photovoltaik ausgestattet ist. Durch dünne transparente Streifen bleibt die Fassade durchsichtig, der Wärmeenergieeintrag wird stark reduziert. Die Dachflächen werden ebenfalls für Photovoltaik genutzt.

Ergänzt wird die WaferFab durch das dreigeschossige und unterkellerte Gebäude Rt 144, das der Energieversorgung, Abwasseraufbereitung und Gasversorgung dient.

WaferFab and Utilities Building

In order to increase the production capacity for semiconductors and enter the market for eight-inch wafer technology, the Rt 141 building, constructed in 1995 for chip production, had to be expanded. Prior to the work, approximately 14,000 m² of laboratory space, test stations, and offices had to be relocated and the old building demolished.

The new building is separated from the existing Rt 141 by means of an interposed addition which houses the central incoming goods department and changing rooms for associates entering the cleanrooms. At the same time, it serves as a fire break between the production spaces.

Due to the extremely stringent lowvibration specifications, the production level is detached from the surrounding parts of the building and covered by a steel girder umbrella structure spanning 50 m. This additional cushioning from external vibrations allows precision production down to the nano range. A three-level extension on the western side of the building houses changing rooms, staffrooms, and office spaces. More office space is located on the northern side of the building below the production level. The chip production is located on the top floor. It is supplied from the two levels below it and ventilated by the technical unit placed on the roof above it.

The use and structure of the building are reflected in the design of the façade. The production area is accentuated by a fully glazed facade that is fitted with thin- film photovoltaic panels. The thin panels remain transparent

and the thermal collection of the glazing is substantially reduced. The roof spaces are also installed with photovoltaic panels.

The WaferFab is complemented by building Rt 144 that has three levels above ground and one basement level. This unit houses the power supply, waste water treatment and the gas supply.